1. 个人简介
赵省贵：女，1977年1月出生。2008年博士毕业于西北工业大学，获工学博士学位，同年晋升为西安科技大学理学院副教授，2010年被聘为硕士生导师。目前研究方向主要为纳米尺度新型光电响应、存储薄膜材料的制备、物性研究及光电器件的研发。近几年获陕西省科学技术三等奖一次，获省教育厅高等学校科技奖二、三等奖各一次；获授权国家发明专利5项；已发表论文40余篇（其中SCI收录34篇）、教材编写2部。
2. 论文、著作（论文及著作共限10项）：
[1]Shenggui Zhao, JingjingMa, Jiefei Cheng, Bingcheng Luo, You Xie, Xiaole Yan,Limei Hao, Tao Zhang, Changle Chen, Kexin Jin, Temperature-dependent rectifying
and ultraviolet photoresponse properties of Al-doped ZnO/p-Si heterojunction.[J], Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2015，7(5), 428-432 (SCI收录)
[2] S.G. Zhao, J. F. Cheng, T. Zhang, Y.Xie, X. L. Yan , W. Liu, J. Y. Wang , K. X. Jin, Photovoltaic effect in hetero junction composed of charge-ordering Pr0.75Na0.25MnO3 and Nb–SrTiO3. [J], Physica B, 2014，454, 42-44 (SCI收录)
[3] S. G. Zhao, A. Gu, X. L. Yan, L. M.Hao, Y. Xie, T. Zhang and K. X. Jin, Transport and photoresponse properties in Pr0.5Ca0.5CoO3/Nb-SrTiO3 heterostructure.[J], Europhysics Letters, 2014,108(6)67, 007-1-6 (SCI收录)
[4]赵省贵,金克新,罗炳成,王建元,陈长乐, Gd0.55Sr0.45MnO3薄膜光诱导电阻变化特性研究[J],物理学报, 2012, 61(4), 047501-1-5 (SCI收录)
[5] S. G. Zhao, K. X. Jin and C. L. Chen,Photoinduced characteristics in La0.67Sr0.33Mn0.95Zn0.05O3 film[J], Phys. Scr.,2007, 75(5), 656-659(SCI收录)
[6] S. G. Zhao, C. L. Chen, K. X. Jin,Effect of Zn doping on transport properties of La2/3Sr1/3Mn1-xZnxO3 films[J],J. Rare Earth, 2007, 25(6), 734-738 (SCI收录).
[7] S. G. Zhao, K. X. Jin, and C. L. Chen，Photoinduced effect in charge-ordering La0.5Ca0.5MnO3 film[J], J.Appl. Phys., 2007,H101(8), 083701-1-4 (SCI收录)
[8]赵省贵,陈长乐,金克新, Pr2/3Sr1/3MnO3薄膜外场诱导自旋输运特性,无机材料学报, 2008, 23 (2), 281-285 (SCI收录)
[9]赵省贵，郝丽梅，张永元，李敏，王新霞，大学物理导教导学导考[M]，西北工业大学出版社，2014
[10]炎正馨，赵省贵，鱼海涛，张桂花，大学物理实验教程[M]，西北工业大学出版社，2011
3.项目（限5项）
(1)自旋电子材料异质结外场调控自旋输运特性研究,专项科研计划项目,陕西省教育厅,2万,1/5,2012,结题
4.获奖及专利
获奖：（限5项）
(1)锰氧化物薄膜及其异质结的光诱导输运机理研究，,陕西省科学技术奖,三等奖,陕西省人民政府,3/7,2008
(2)压电薄膜基声表面波煤矿瓦斯传感器关键,陕西省高等学校科学技术,三等奖,陕西省教育厅,3/9,2013
专利：（限3项）
(1)一种微流控煤矿井下空气检测系统及方法,国家发明专利,3/5,2014
(2)一种基于微流控技术的煤矿井下空气监测装置中国,国家发明专利,3/5,2013
(3)一种在铜基体上制备超疏水表面的电化学方法,国家发明专利,2/4,2012
(4)钙钛矿锰氧化化物异质薄膜及其制备方法,国家发明专利,3/3,2008
(5)锰氧化物异质薄膜及其制备方法,国家发明专利,3/3,2008
